La fuita o curtcircuit del díode emissor de llum es manifesta com una disminució en la impedància del xip i un augment de la conductivitat, és a dir, hi ha un camí conductor addicional en el xip de díode emissor de llum, que equival a una resistència en paral·lel als dos extrems del xip. Quan aquesta resistència és molt petita i propera a zero , El xip apareix com una fallada de curt circuit, i quan la resistència és gran, el xip apareix com una fallada de fuites. Les principals causes de fuites o fallades de curt circuit són: avaria electrostàtica, estrès sobreelitètic i substàncies conductives a la superfície del xip.
L'avaria electrostàtica es deu principalment a la manca efectiva de protecció electrostàtica de la mostra durant el transport, el muntatge, les proves i el treball. L'alta tensió generada per la inducció electrostàtica s'aplica directament als dos extrems de l'elèctrode del xip de díode emissor de llum. Quan la tensió superi la tensió més alta que pot suportar el xip, Es descarregarà entre els dos elèctrodes del xip en molt poc temps (nivell de nanosegon). La potència generada La calor de Joule fa que la capa conductiva interna i la capa d'emissió de llum del xip de díode emissor de llum d'alta temperatura, i l'alta temperatura fon aquestes capes en forats petits, causant fuites o fenomen de curt circuit. L'estrès sobreeficial és causat principalment per l'ús sobreespec especificat del xip de díode emissor de llum, o el dany sobreeficial causat pel pols d'alta tensió generat per l'atac transitori de llamps, el soroll de commutació transitori de la font d'alimentació de commutació, i la fluctuació de la xarxa elèctrica.
Una altra raó principal per a la fuita o curt circuit del xip LED és la migració de plata al costat del xip per formar un camí: això és perquè el material de segellat de plàstic del LED en si no és prou bo per evitar efectivament que la humitat entri a la superfície de la cola de plata conductiva. Sota l'acció d'un camp elèctric, l'electròlisi es converteix en ions d'hidrogen i ions d'hidròxid. Sota l'acció de camp elèctric i ions d'hidròxid, plata es dissocia per produir ions de plata. Sota l'acció del camp elèctric, els ions de plata migren d'alt potencial a baix potencial i formen L'expansió floculenta o dendràtica forma un camí conductiu en ambdós extrems del xip de díode emissor de llum, fent que el xip es filteti o curtcircuit.
