Per què els LED s'escalfen quan treballen?
Hi ha tres sèries principals de LED d'alta potència. El primer tipus són els grans de llum d'alta potència més utilitzats que imiten els lúmans, però la part més inconvenient d'aquest tipus de grans de llum és que només es poden enganxar a mà i no es poden muntar en una màquina de col·locació. No pot passar pel forn de reflux, de manera que només es pot soldar manualment o a la taula de calefacció. La segona és la sèrie SMD de Cree. Les peres de llum són petites i la SMD és molt convenient. No obstant això, a causa de la seva petita mida, la generació de calor del xip ha de ser petita. Els requisits de xip són alts.
Principalment, Cree està fent (o utilitzant les fitxes de Cree), i el preu és relativament alt. El tercer és el 5630 de Samsung (5730), que es troba entre alta potència i baixa potència, generalment només es poden utilitzar 0,5W, és més convenient per al pegat, però no és convenient utilitzar lents, de manera que moltes làmpades amb coberta opaca l'utilitzen, i una altra són grans de llum integrades, que depèn del nombre i la mida dels xips.
LED d'alta potència
Raons de febre del treball LED d'alta potència:
Sota el voltatge cap endavant del LED, els electrons obtenen energia de la font elèctrica. Impulsats pel camp elèctric, superen el camp elèctric de la unió PN i la transició de la regió N a la regió P. Aquests electrons es recombinen amb els forats de la regió P. Atès que els electrons lliures que es desplacen a la regió P tenen una energia més alta que els electrons de valència a la regió P, els electrons tornen a un estat de baixa energia durant la recombinació, i l'excés d'energia s'allibera en forma de fotons.
En el camí dins del díode, els electrons consumiran energia a causa de l'existència de resistència. La potència consumida s'ajusta a les lleis bàsiques de l'electrònica: P = I2 R = I2 (RN + + RP ) + IVTH on: RN és la resistència a granel de la regió N VTH és la tensió d'encès de la unió PN RP és la calor generada per la potència consumida per la resistència a granel de la regió P Per: Q = Pt on: t és el moment en què el díode s'energitza.
En essència, el LED segueix sent un díode semiconductor. Per tant, quan el LED està treballant en la direcció cap endavant, el seu procés de treball s'ajusta a la descripció anterior. L'energia elèctrica que consumeix és: P LED = U LED × I LED A la fórmula: U LED és el voltatge d'avanç a través de la font de llum LED I LED és el corrent que flueix a través del LED, i l'energia elèctrica consumida es converteix en calor i s'allibera: Q = P LED × t on: t és el temps d'alimentació.
De fet, l'energia alliberada pels electrons quan es recombinen amb forats a la regió P no és proporcionada directament per la font d'energia externa, sinó perquè els electrons de la regió N tenen un nivell d'energia més alt que la regió P en absència d'un camp elèctric extern. El nivell d'energia electrònica de valència és més alt que Eg. Quan arriba a la regió P i recombina amb el forat per convertir-se en l'electró de valència de la regió P, alliberarà tanta energia. La mida d'Eg està determinada pel propi material i no té res a veure amb el camp elèctric extern. L'efecte de la font d'energia externa sobre l'electró és només empènyer-lo a moure's de manera direccional i superar l'efecte de la unió PN.
