Segons informes de mitjans estrangers, un equip d'investigació dirigit pel professor Zhou Shengjun de la Universitat de Wuhan va desenvolupar un LED verd d'alta{0}}eficiència GaN- sobre un substrat de safir. L'equip d'investigació proposa utilitzar una capa de nucleació híbrida (Hybrid Nucleation Layer) composta per AIN (Sputtered AlN) i dispositius GaN de temperatura mitjana-per millorar l'eficiència quàntica dels LED verds basats en GaN-.
Actualment, el desenvolupament d'emissors de nitrur d'alta -eficiència III- en tot el rang visible és molt atractiu, i la fusió d'emissors de nitrur III-de diversos colors permet una gestió espectral híbrida eficient i precisa. , donant com a resultat pantalles d'alta-resolució i diverses aplicacions d'il·luminació intel·ligent, però el principal obstacle actualment és la poca eficiència dels emissors de nitrur III- a la regió espectral de color verd a bronzejat.
Amb aquesta finalitat, els investigadors de la Universitat de Wuhan van utilitzar una nova capa de nucleació híbrida per fabricar LED verds InGaN/GaN d'alta -eficiència sobre substrats de safir. Durant el procés de producció, la capa de nucleació mixta i la superfície de GaN generaran una estructura de falla d'apilament, que ajuda a aconseguir la compensació de l'estrès desajustat.
Beneficiant-se de la relaxació inicial de l'estrès del desajust tèrmic, es redueix la densitat de dislocació i l'estrès residual dels LED verds. Com a resultat, l'equip d'investigació va millorar l'eficiència en un 16 per cent durant la producció en massa.
L'equip d'investigació de la Universitat de Wuhan va dir que la perspectiva d'aplicació de la capa de nucleació híbrida és molt prometedora per aconseguir emissors de nitrurs d'alta -eficiència III- a la regió del verd al groc-marró.
