Especificacions del díode LED IR 810nm 3535 SMD
| Nom del producte | Díode LED IR 810nm 3535 SMD |
| Número de peça | GT-3535R805-1CC0-G1D2M |
| Marca xips | Taiwan Epileds |
| Marca del fabricant a l'etiqueta |
Marca GMKJ Fabricat per Guangmai Technology Co., Ltd, ubicat a la ciutat de Shenzhen, Xina |
| Entrada |
1,4-1,8vdc amb IFmax 700mA |
| Flux lluminós/ radiant | 400-600mW a 700mA |
| Eficiència de la il·luminació | Leds infrarojos invisibles, sense LM/W disponible |
| Longitud d'ona/Color |
Longitud d'ona màxima 805-810 nm
Altres longituds d'ona disponibles aquí en longitud d'ona infraroja: 730-740 nm; 805-810 nm; 830-835 nm; 845-855 nm; 900-910 nm; 940-950 nm;
Longitud d'ona SWIR disponible en: 1040-1050 nm; 1060-1080 nm; 1200-1250 nm; 1300-1350 nm; 1400-1450 nm; 1500-1550 nm; 1570-1580 nm; 1600-1650 nm; |
| Poder |
1-3 watts |
| Material del paquet |
Ceràmica AL2O3, led smd de mida 3,5x3,5 mm |
| Angle d'il·luminació |
Angle d'il·luminació de 120 graus, lent de silicona de cúpula (estoc normal, quantitat petita està bé) Angle d'il·luminació de 90 graus, lent de silicona de cúpula (MOQ 2000 pcs) Angle d'il·luminació de 60 graus, lent de silicona de cúpula (MOQ 2000 pcs) Angle d'il·luminació de 30 graus, lent de silicona de cúpula (MOQ 2000 pcs) |
| Preu | Si us plau, poseu-vos en contacte amb GMKJ per obtenir el preu |
| Quantitat mínima de comanda |
Depèn de la disponibilitat d'estoc: Si estem preparats per enviar estoc, aquí s'accepten fins i tot 100 peces amb propòsit de prova de mostres. Si no hi ha estoc, necessitem una quantitat mínima de comanda amb almenys 1.000 unitats amb 1 paquet de rotlle. |
| Garantia | 4 anys |
| Servei OEM |
1. Peces SKD disponibles; 2. La matriu LED personalitzada amb la mida que necessiteu està bé aquí. |
| Número de peça | Poder | Longitud d'ona | Marca xips | Especificacions d'entrada | ||
| GT-3535R700-G1D2 | 1-3W | 700-710 nm | Taiwan Epileds 42 mil | 2V 700mA | ||
| GT-3535R730-G1B7 | 1W | 730-740 nm | Taiwan Epileds 27 mil | 2V 350mA | ||
| GT-3535R730-S2D5 | 1-3W | 730-740 nm | Suggerit! Shilan 45 mil, alta potència òptica / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 2V 700mA | ||
| GT-3535R730-G1D2 | 1-3W | 730-740 nm | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 2V 700mA | ||
| GT-3535R750-G1D2 | 1-3W | 750-760 nm | Taiwan Epileds 42 mil | 2V 700mA | ||
| GT-3535R760-G1D2 | 1-3W | 760-765 nm | Taiwan Epileds 42 mil | 2V 700mA | ||
| GT-3535R780-G1D2 | 1-3W | 780-790 nm | Taiwan Epileds 42 mil | 2V 700mA | ||
| GT-3535R800-G1D2 | 2-3W | 800-810nm, 400-600mW | Taiwan Epileds 42 mil | 1,5 V màxim 1000 mA | ||
| GT-3535R800-1CS0-G1D2 | 4-6W | 800-810nm, 800-900mW | Epileds 42mil, Nano Stack alt mW / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 3V màxim 1000mA | ||
| GT-3535R830-G1D2 | 2-3W | 830-840nm, 400-600mW | Taiwan Epileds 42 mil | 1,5 V màxim 1000 mA | ||
| GT-3535R850-S2B6 | 1.5W | 845-855 nm (suggerit) | Xina Shilan 26 mil, alt mW / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 1,5 V màxim 500 mA | ||
| GT-3535R850-S2C6 | 2W | 845-855 nm (suggerit) | Xina Shilan 36 mil, alt mW / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 1,5 V màxim 700 mA | ||
| GT-3535R850-S2D2 | 3W | 845-855 nm (suggerit) | Xina Shilan 42 mil, alt mW / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 1,5 V màxim 1000 mA | ||
| GD-3535R850-S2D2 | 3-4W | 845-855 nm (suggerit) | Xina Shilan 42 mil, alt mW / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 1,5 V màxim 1500 mA | ||
| GT-3535R850-G1D2 | 2-3W | 845-855nm, 400-600mW | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 1,5 V màxim 1000 mA | ||
| GT-3535R850-1CS0-G1D2 | 3-5W | 845-855nm, 800-900mW | Taiwan Epileds 42mil, Nano Stack / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 3V màxim 1000mA | ||
| GD-3535R850-1CS0-S1D2 | 4-6W | 850-855nm, 1500-1800mW | China Sanan 42 mil, Nano Stack / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 3V màxim 1500mA | ||
| GT-3535R880-G1D2 | 2-3W | 880-885nm, 400-600mW | Taiwan Epileds 42 mil | 1,5 V màxim 1000 mA | ||
| GT-3535R900-G1D2 | 2-3W | 900-910nm, 400-600mW | Taiwan Epileds 42 mil | 1,5 V màxim 1000 mA | ||
| GT-3535R940-G1B8 | 1W | 940-950 nm | Taiwan Epileds 28 mil | 1,5 V 350 mA | ||
| GT-3535R940-G1D2 | 2-3W | 940-950 nm, 400-600 mW | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 1,5 V màxim 1000 mA | ||
| GT-3535R940-S1D2 | 2-4W | 940-950nm (suggerit) 500-700mW | Xina Sanan 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 1,5 V màxim 1500 mA | ||
| GT-3535R940-1CS0-G1D2 | 3-5W | 940-950 nm, 800-900 mW | Taiwan Epileds 42mil, Nano Stack / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 3V màxim 1000mA | ||
| GD-3535R940-1CS0-S1D2 | 4-6W | 940-950 nm, 1500-1800 mW | China Sanan 42 mil, Nano Stack / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 3V màxim 1500mA | ||
| GT-3535R940-G1B8 | 1W | 940-950 nm | Taiwan Epileds 28 mil | 1,5 V 350 mA | ||
| GT-3535R980-G1D2 | 1-3W | 980-985 nm | Taiwan Epileds 42 mil | 1,5 V 700 mA | ||
| GT-3535R1040-G1D2 | 1-3W | SWIR 1040-1050 nm | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 1,0-1,4 V 700 mA | ||
| GT-3535R1060-S1D2 | 1-3W | SWIR 1060-1070 nm | Xina Sanan 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 1,0-1,4 V 700 mA | ||
| GT-3535R1060-G1D2 | 1-3W | SWIR 1060-1080nm | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 1,0-1,4 V 700 mA | ||
| GT-3535R1200-G1D2 | 1-3W | SWIR 1200-1250 nm | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 0,8-1,4 V 700 mA | ||
| GT-3535R1300-G1D2 | 1-3W | SWIR 1300-1350 nm | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 0,8-1,4 V 700 mA | ||
| GT-3535R1400-G1D2 | 1-3W | SWIR 1400-1450nm | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 0,6-1,2 V 700 mA | ||
| GT-3535R1500-G1D2 | 1-3W | SWIR 1500-1550 nm | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 0,6-1,2 V 700 mA | ||
| GT-3535R1575-G1D2 | 1-3W | SWIR 1575-1580 nm | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 0,6-1,2 V 700 mA | ||
| GT-3535R1630-G1D2 | 1-3W | SWIR 1630-1650 nm | Taiwan Epileds 42 mil / 30 graus, 60 graus, 90 graus, 120 graus | 0,6-1,2 V 700 mA | ||
Díode LED IR 810nm 3535 SMD pàgictura
 |
 |
|
Angle d'il·luminació de 120 graus, lent de silicona de cúpula de 120 graus |
Angle d'il·luminació de 90 graus, lent de silicona de cúpula (MOQ 2000 pcs) Angle d'il·luminació de 60 graus, lent de silicona de cúpula (MOQ 2000 pcs) Angle d'il·luminació de 30 graus, lent de silicona de cúpula (MOQ 2000 pcs) |
PCBA LED d'alumini muntat per GMKJ (dibuix de PCB i BOM proporcionats pels nostres clients)
GMKJ té la nostra pròpia -línia de muntatge de plaques PCB LED SMT, que inclou una màquina automàtica de recollida i col·locació, una màquina d'aplicació automàtica de pasta de soldadura, un forn de reflux d'alta temperatura.
Podem fer el muntatge de la placa de PCB LED per als nostres clients si ens poden proporcionar el dibuix de plaques de PCB i la llista de BOM de la placa de PCB.
Dimensió del díode LED IR 810nm 3535 SMD
Díode LED IR 810nm 3535 SMDEspecificacions elèctriques
|
Paràmetre |
Símbol |
Condicions |
Min |
Mitjana |
Màx |
Unitats |
|
Tensió directa |
VF |
IF=700mA |
1.40 |
-- |
1.80 |
V |
|
Unió de resistència tèrmica A bord |
RΘJ-B |
IF=700mA |
-- |
6.5 |
-- |
grauC/W |
|
RadiantFlux |
Φe |
IF=700mA |
400 |
-- |
600 |
mW |
|
Cimlongitud d'ona |
λp |
IF=700mA |
805 |
-- |
810 |
nm |
|
Corrent invers |
IR |
VR=5V |
−− |
−− |
10 |
μ A |
|
Angle de visió [1] |
2Θ1/2 |
IF=700mA |
−− |
120 |
−− |
Deg |
Per què els leds de 810 nm s'utilitzen àmpliament per a la llum de teràpia vermella? Quin és el seu avantatge en comparació amb la longitud d'ona de 850 nm?
810nm s'utilitza habitualment en la teràpia vermella/NIR principalment perquè està a prop d'un dels pics d'absorció dels enzims mitocondrials (com la citocrom c oxidasa). En termes simples, el cos pot "utilitzar" aquesta longitud d'ona de manera una mica més eficient, de manera que l'efecte de fotobiomodulació es considera generalment més fort.
En comparació amb 850 nm:
Eficàcia:
En general, 810 nm es considera més "biològicament actiu", per la qual cosa s'utilitza sovint en aplicacions de tipus més professional o mèdic-.
Penetració:
850nm pot penetrar una mica més en el teixit, mentre que 810nm encara és profund, però s'absorbeix una mica més al llarg del camí.
Eficiència:
Els LED de 850 nm solen ser més eficients i més fàcils d'aconseguir una sortida més alta, per això són molt habituals en productes comercials.
Visibilitat:
850nm té una lleugera brillantor vermella, mentre que 810nm és gairebé completament invisible.
Així a la pràctica:
Sovint s'escull 810nm quan l'atenció se centra més en el rendiment de la teràpia
850nm s'utilitza àmpliament quan l'eficiència, el cost i la potència de sortida són més importants
Tots dos s'utilitzen àmpliament, només amb prioritats lleugerament diferents
Podeu descarregar el full de dades d'aquesta pàgina per als LED SMD relacionats.
Si necessiteu més detalls com ara el preu, la quantitat mínima de comanda, l'estat d'existències i el termini de lliurament, contacteu directament amb els LED GMKJ.
Sempre estem aquí per a tu!
Etiquetes populars: ir 810nm 3535 smd led díode, Xina, fabricants, proveïdors, fàbrica, preu, barat, pressupost, full de dades, especificacions, especificació
